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标准永磁体是一种专门设计用于校准高斯计的永磁装置,其采用高性能稀土材料制造,广泛应用于各种需要精确磁场校准的领域,如实验室、计量部门和工业检测设备。产品简介
振动样品磁强计是一种用于测量材料磁性能的仪器,可用于材料研究和开发、质量控制及产品检测,完成对磁性材料的基本磁性能的测量和分析。可测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线,磁滞回线,退磁曲线,升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、设定温度下的磁化曲线、设定温度下的磁滞回线等),得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度,剩余磁化 强度,矫顽力,最大磁能积,居里温度,磁导率、初始磁导率等),可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。可原位测量磁性材料从室温至 800 度以及室温至液氮温区磁性能随温度的变化曲线产品简介
本电源为准双极性直流电源(可换向但有延迟),具有高准确度、高线性度、高稳定度、低纹波噪声等特点, 微处理器控制的继电器换向方式、5种可选延迟时间、 换向电流冲击小于1mA、I、I-III、I-III-I象限三种线性扫描模式、 标准配备内部USB转换接口、完备的计算机接口命令集 触发输出同步功能、扫描过程中的定时连续触发输出功能。产品简介
B-H实验仪,全称静态磁特性(磁滞回线)测试仪,是用于测量软磁材料(如硅钢、铁氧体等)在直流或缓慢变化磁场下磁化特性的仪器。它主要绘制磁滞回线(B-H曲线),获取饱和磁感应强度、剩磁、矫顽力、磁导率等关键参数,评估材料磁性能。产品简介
高斯计/特斯拉计适合要求高测试精度,高分辨率的磁场测试应用。测量范围从直流到50KHZ的交流磁场。自动较零,自动量程。保持模式可选极大值,极小值,峰值和谷值。仪表可同时测量和显示6种参数。测量单位可选高斯,毫特斯拉,A/M或Oe。SBV系列电磁铁是一款双轭(H型结构)双侧可调气隙磁场发生装置。在励磁电源的激励下,磁场形成闭合回路,两极之间可以产生均匀的强磁场,磁场方向沿极头轴向。所有型号标配可更换纯铁极头,可以通过更换极头以适应不同实验要求。纯铁结构有利于线包散热,同时也可选配水冷装置延长工作时间。
本电源为高稳定度的双极性恒流电源(平滑过零换向无延迟),电源采用线性电源结构,输出电流稳定度高,纹波和噪声低。电源输出电流可在正负额定最大电流之间连续变化,电流平滑连续过零,可使电磁铁或线圈产生平滑、稳定的磁场。 配合本公司的高精度高斯计和探头(选件),电源可工作于磁场模式。在磁场模式下,可直接设定磁场值,电源会调节输出电流使电磁铁快速达到设定磁场,方便快捷,磁场稳定。可随意单独控场,也可连续扫描磁场。电流模式和磁场模式可根据需要随时切换,操作灵活。
霍尔效应实验仪用于观测载流导体在磁场中产生的横向电势差(霍尔电压),测定载流子类型(N/P型)、浓度及磁场强度。通过电流、磁场与电压关系验证霍尔效应,是半导体研究和磁测量的基础设备。
磁致伸缩实验仪用于测量铁磁材料(如铁钴合金)在交变磁场中的长度变化效应(磁致伸缩系数λ)。通过监测磁场强度与材料形变量的关系,研究其机电转换特性,应用于换能器与传感器设计。
磁约束线圈是一种用于等离子体物理实验和受控核聚变反应中的关键电磁装置,通过精确设计的磁场对高温等离子体进行约束和控制。我们的磁约束线圈采用高导电性材料制成,能够产生强大且均匀的磁场,确保等离子体的稳定性和受控性。
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度 (Sheet Carrier Concentration)、迁移率 (Mobility)、电阻率 (Resistivity)、 霍尔系数 (Hall Coefficient)、磁致电阻等等。
磁通门磁力计是精确测量微弱的静态和低频矢量磁场的仪器。磁通门计具有高稳定性、高线性和精确度,全数字化等特性,与霍尔效应原理或磁电阻效应原理的磁场测量仪器相比,它是测量弱磁场最好的选择具有数字与模拟信号输出,独特的CAN总线网络接口适合多阵列磁场测试广泛应用与科研,军工,航天等部门。
方形线圈适用于较大空间磁场的复现,其具有空间利用率改,结构稳定、加工成本相对较低的特点。方形磁场线圈可根据需求设计为二线圈、三线圈、四线圈甚至五线圈以上结构。较为经典的结构有Helmholtz线圈结构、Ruben线圈结构、Merrit线圈结构等。方形磁场线圈可衍生矩形线圈、八边形线圈、马鞍形等多种异形线圈的设计。
旋转电磁铁是由常规电磁铁和一套机械旋转机构组成的。旋转方式可设计为沿水垂直轴旋转或水平轴旋转,可电控或者手动设定旋转角度,实现不同方向的磁场。