二维亥姆霍兹线圈是由两对分别沿两个互相正交的轴线排列的亥姆霍兹线圈构成,它能够在X\Y或X\Z两个方向上产生均匀磁场,可实现二维矢量磁场的生成,具有高度可定制化特点。
磁场屏蔽效果可以达到更高的水平(小于1nT),采用交流电流产生磁场使它具有更高的直流,交流磁场屏蔽效能,更准确的轨迹寻迹功能,更大的量程范围,更高的响应速度,,能够达到在(0-100000nT)磁场的范围内,三分量X,Y,Z的磁场产生可以精确到1nT,调节步进也可精确到1nT,使科研,军工,医疗等众多领域的产品制作和实验极具意义,已被广泛应用。
SBV系列电磁铁是一款双轭(H型结构)双侧可调气隙磁场发生装置。在励磁电源的激励下,磁场形成闭合回路,两极之间可以产生均匀的强磁场,磁场方向沿极头轴向。所有型号标配可更换纯铁极头,可以通过更换极头以适应不同实验要求。纯铁结构有利于线包散热,同时也可选配水冷装置延长工作时间。
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度 (Sheet Carrier Concentration)、迁移率 (Mobility)、电阻率 (Resistivity)、 霍尔系数 (Hall Coefficient)、磁致电阻等等。
我们接受各种形式的个性化定制产品需求。
SB系列电磁铁是一款双轭(H型结构)双侧可调气隙磁场发生装置。在励磁电源的激励下,磁场形成闭合回路,两极之间可以产生均匀的强磁场,磁场方向沿极头轴向。所有型号标配可更换纯铁极头,可以通过更换极头以适应不同实验要求。纯铁结构有利于线包散热,同时也可选配水冷装置延长工作时间。
本电源为准双极性直流电源(可换向但有延迟),具有高准确度、高线性度、高稳定度、低纹波噪声等特点, 微处理器控制的继电器换向方式、5种可选延迟时间、 换向电流冲击小于1mA、I、I-III、I-III-I象限三种线性扫描模式、 标准配备内部USB转换接口、完备的计算机接口命令集 触发输出同步功能、扫描过程中的定时连续触发输出功能。
系统可以实时抵消地磁场的磁场波动,从而在地磁环境下产生10nT的零磁环境,如在屏蔽房或屏蔽筒内可以产生1nT或0.1nT的梯度磁场,系统也可以随意在三维分量上产生任意设定的磁场用于科学实验与模拟地磁变化环境。
金属逸出功实验仪通过加热金属阴极产生热电子发射,测量不同温度下的饱和电流,利用里查孙直线法测定金属电子逸出功。主要用于研究阴极材料热电子发射特性及材料表面物理性质。
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