产品简介
振动样品磁强计是一种用于测量材料磁性能的仪器,可用于材料研究和开发、质量控制及产品检测,完成对磁性材料的基本磁性能的测量和分析。可测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线,磁滞回线,退磁曲线,升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、设定温度下的磁化曲线、设定温度下的磁滞回线等),得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度,剩余磁化 强度,矫顽力,最大磁能积,居里温度,磁导率、初始磁导率等),可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。可原位测量磁性材料从室温至 800 度以及室温至液氮温区磁性能随温度的变化曲线
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系统可以实时抵消地磁场的磁场波动,从而在地磁环境下产生10nT的零磁环境,如在屏蔽房或屏蔽筒内可以产生1nT或0.1nT的梯度磁场,系统也可以随意在三维分量上产生任意设定的磁场用于科学实验与模拟地磁变化环境。
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磁场屏蔽效果可以达到更高的水平(小于1nT),采用交流电流产生磁场使它具有更高的直流,交流磁场屏蔽效能,更准确的轨迹寻迹功能,更大的量程范围,更高的响应速度,,能够达到在(0-100000nT)磁场的范围内,三分量X,Y,Z的磁场产生可以精确到1nT,调节步进也可精确到1nT,使科研,军工,医疗等众多领域的产品制作和实验极具意义,已被广泛应用。
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磁场控制系统,可实现磁场的自动控制,磁场波形可为正弦波、方波、三角波、振荡波等波形,也可以做为静磁场恒定输出。在磁场手柄控制状态下,可以控制磁场的角度,方向以及磁场的大小。
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英普2025新款振动样品磁强计VSM-TH1高低温V4
用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度 (Sheet Carrier Concentration)、迁移率 (Mobility)、电阻率 (Resistivity)、 霍尔系数 (Hall Coefficient)、磁致电阻等等。
无矩线圈是通过几组线圈以一定的几何结构安装,并通过各组线圈的不同匝数和相同的电流,使线圈外部磁场急速衰减,线圈磁矩基本为零,可有效降低线圈磁场和外部屏蔽装置的耦合干扰 ,提高线圈磁场在屏蔽筒、屏蔽室内的磁场线性度。
承接大型空间磁场的设计加工,具有成熟安装施工经验,配套无磁平台桁架;配套无磁转台、运输轨道等。
毕奥萨伐尔实验仪是用于验证毕奥-萨伐尔定律的教学设备。通过测量载流导线(如直导线、圆环线圈)周围空间的磁场分布,直观展示电流与磁场强度的关系,帮助学生理解电磁场基本原理。
磁屏蔽筒是一种专为屏蔽地磁场及环境干扰磁场而设计的高精度设备,广泛应用于磁传感器、磁强计以及感应线圈棒等测试领域。我们可以根据用户的需要单独为您开发设计更大零磁场环境,以便您在拥有足够大零场环境下开展您的无磁实验项目,除标准坡镆合金外,我们还可生产各类非晶软磁材料、纳米晶体软磁材料,可在零磁腔内加入样品测试或加入线圈产生一定磁场测试被测物的物理效应。
高精度磁通计/高斯计是由微处理器控制,利用电子积分原理、自动数字抑制调节漂移系统,用彩色显示屏显示被测磁通量大小和磁场强度的仪器,它可以测量总体磁通量,从而得到磁通密度与磁场强度的值
居里温度实验仪用于测定铁磁材料在升温过程中由铁磁性转变为顺磁性的临界温度值(居里点)。通过监测磁导率突变或磁滞回线消失现象,表征材料的热磁特性,适用于磁性材料研究与教学实验。
旋转电磁铁是由常规电磁铁和一套机械旋转机构组成的。旋转方式可设计为沿水垂直轴旋转或水平轴旋转,可电控或者手动设定旋转角度,实现不同方向的磁场。
金属逸出功实验仪通过加热金属阴极产生热电子发射,测量不同温度下的饱和电流,利用里查孙直线法测定金属电子逸出功。主要用于研究阴极材料热电子发射特性及材料表面物理性质。